点击返回成果展示页面

杨树 研究员

浙江大学

个人亮点

在新型氮化镓功率器件方向开展了具有国际领先水平的原创性研究工作

个人简介

杨树，研究员，博士生导师。2010年于复旦大学获学士学位、2014年于香港科技大学获博士学位；曾在香港科技大学担任客座助理教授、于剑桥大学从事博士后研究。现任浙江大学“百人计划”研究员、博士生导师、电力电子技术研究所副所长。长期专注于宽禁带半导体氮化镓（GaN）功率器件设计、微纳制造及可靠性研究，在新型GaN功率器件及其关键机制方向开展了一系列原创性研究工作。主要学术贡献包括：（1）利用GaN器件独特的极化隧穿增强层结构，打破了传统功率器件反向耐压与正向导通性能相互制约的极限，自主研制出1kV/1.2mΩ·cm2单极型和1.8kV/0.5mΩ·cm2双极型垂直GaN器件，功率品质因数国际较为领先；（2）阐明了基于多尺度陷阱效应的GaN器件动态特性退化关键机理，研制出国际上首个“无电流崩塌”的新型垂直GaN器件，解决了长期困扰GaN器件的动态性能退化难题；（3）提出了针对GaN器件的新型界面氮化方法，揭示了界面工艺和陷阱抑制关键机制，构建了异质结器件界面陷阱评测体系，提升了GaN器件的栅极可靠性。

在功率器件领域国际权威期刊IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices和顶级会议IEEE ISPSD等发表SCI/EI论文76篇，以第一/通讯作者发表SCI论文23篇，4篇ESI高被引论文。论文总被引2553次，H因子为26（Google Scholar），SCI他引930次；引用者来自40余个国家的280 余个研究机构，包括MIT、耶鲁大学、哈佛大学、剑桥大学、国际著名半导体公司英飞凌、台积电等。研究成果6次获国际产业界杂志Compound Semiconductor和Semiconductor Today专题报道。

2018年荣获IEEE ISPSD Charitat Young Researcher Award，是该奖项创立30年来首位中国大陆获奖者。2020年获得中达青年学者奖，曾获香港科技大学PhD Research Excellence Award。主持国家自然科学基金、国家重点研发计划课题、教育部联合基金、浙江省杰出青年科学基金等项目。担任中国电源学会女科学家工作委员会副主任委员和元器件专委会委员，IEEE Open Journal of Power Electronics编委（Associate Editor），IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics客座编委（Guest Associate Editor），IEEE ISPSD技术委员会委员，IEEE高级会员。